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AP9478GM-VB
1个N沟道,耐压：60V，电流：7.6A
- 描述
- SOP8；N—Channel沟道,60V；7.6A；RDS(ON)=27mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.54V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- AP9478GM-VB
- 商品编号
- C41370048
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽功率 MOSFET
- 针对“低端”同步整流器操作进行优化
- 100%进行 Rg 和 UIS 测试
- 提供符合 RoHS 标准的无卤产品
应用领域
- 冷阴极荧光灯管（CCFL）逆变器
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