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AP2320GN-HF-VB实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

AP2320GN-HF-VB

1个N沟道,耐压：100V，电流：0.26A

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描述
SOT23；N—Channel沟道,100V；0.26A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
AP2320GN-HF-VB
商品编号
C41370057
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.04克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)260mA
导通电阻(RDS(on))2.8Ω@10V
耗散功率(Pd)370mW
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)500pC@4.5V
输入电容(Ciss)30pF
反向传输电容(Crss)2pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)7pF

数据手册PDF

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