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SI4356ADY-T1-E3-VB
1个N沟道,耐压：30V，电流：18A
- 描述
- SOP8；N—Channel沟道,30V；18A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI4356ADY-T1-E3-VB
- 商品编号
- C41370064
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.2nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 820pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 73pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻（Rg）和非钳位感性开关（UIS）测试
应用领域
- 笔记本电脑核心
- 电压调节模块（VRM）/负载点（POL）