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AP7811M-VB

1个N沟道 耐压:30V 电流:13A

描述
SOP8;N—Channel沟道,30V;13A;RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V;Vth=1~3V;
商品型号
AP7811M-VB
商品编号
C41370040
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.37克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)13A
导通电阻(RDS(on))11mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)4.1W
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)6.1nC@10V
输入电容(Ciss)800pF
反向传输电容(Crss)73pF@15V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)165pF

数据手册PDF

优惠活动

  • 9.5

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