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SP2006KT5
小电流P型 MOSFET P沟道 耐压:20V 电流:660mA
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- 描述
- 小电流MOSFET产品，P沟道，ESD防护，耐压：-20V，电流：-0.66A, Rdson：650mR
- 品牌名称
- Siliup(矽普)
- 商品型号
- SP2006KT5
- 商品编号
- C41355141
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029417克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 660mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 650mΩ@4.5V；850mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 650mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.25nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 75pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品特性
- 表面贴装封装
- 具有低导通电阻（RDS (on)）的N沟道开关
- 可在低逻辑电平栅极驱动下工作
- 具备静电放电（ESD）保护
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关
- 超小型便携式电子设备的电池管理
- 逻辑电平转换