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SP2024KCTW
小电流N+P型 MOSFET
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- 描述
- N+P MOSFET产品，ESD防护，耐压：20V，电流：N 0.75A/P -0.66A, Rdson：N 380mR/P 520mR
- 品牌名称
- Siliup(矽普)
- 商品型号
- SP2024KCTW
- 商品编号
- C41355146
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032767克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 750mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ@2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 350mV；350mV | |
| 输入电容(Ciss) | 113pF；120pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF；15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 沟槽技术
- 超高密度单元设计,实现极低的导通电阻(Rds(on))
- 出色的导通电阻和最大直流电流承载能力
- 栅极具备2KV人体模型(HBM)静电保护
- 封装:SOT-363
应用领域
- 驱动器:继电器、螺线管、灯、锤
- 电源转换器电路
- 便携式设备的负载/电源开关