939113424610-T3N
100nF ±15%
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- 描述
- 适用于光通信系统(ROSA/TOSA、SONET和所有光电子设备)以及高速数据系统或产品,用于直流阻断、耦合和旁路接地应用。采用半导体MOS工艺开发,具有低插入损耗、低反射和高相位稳定性,在电压(0.1%/V)和温度(60 ppm/K)下具有非常高的可靠性和电容稳定性。工作温度范围为 -55 至 150°C,符合标准JEDEC组装规则,与高速自动拾放制造操作完全兼容,符合RoHS标准。
- 品牌名称
- muRata(村田)
- 商品型号
- 939113424610-T3N
- 商品编号
- C3715679
- 商品封装
- 0402
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 硅电容 | |
| 容值 | 100nF | |
| 精度 | ±15% |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 等效串联电阻(ESR) | 500mΩ | |
| 等效串联电感(ESL) | 0.1nH | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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