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HFS10N80
1个N沟道 耐压:800V 电流:9.4A
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- 描述
- N沟道
- 品牌名称
- SemiHow
- 商品型号
- HFS10N80
- 商品编号
- C430878
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.99克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 920mΩ@10V,4.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 65W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.6nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 栅源电压 (VGS) = 10V 时，漏源导通电阻 (RDS(on)) 低
- 3.3V 逻辑电平控制
- N 沟道 SOT23 封装
- 无铅，符合 RoHS 标准
应用领域
- LED 照明应用
- 开关
- 网络