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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MC3651RF1AAM

MC3651RF1AAM

品牌名称
MITSUMI(美上美)
商品型号
MC3651RF1AAM
商品编号
C3681797
商品封装
XDFN-4-EP​
包装方式
编带
商品毛重
0.079克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录电池管理
芯片类型-
电池类型-
属性参数值
电池节数1
工作温度-40℃~+85℃

商品概述

MC3651系列是集成MOS-FET的保护IC,用于保护可充电锂离子或锂聚合物电池。可检测单节可充电锂离子或锂聚合物电池的过充电、过放电以及充放电过流情况。

商品特性

  • 检测/释放电压范围与精度:过充电检测与释放电压之间的迟滞电压可选0.10V/0.15V/0.20V/0.2V
  • 检测延迟时间范围:
    • 过充电检测延迟时间固定为1.0s
    • 过充电释放延迟时间可选6ms、16ms
    • 过放电检测延迟时间可选100ms、256ms
    • 过放电释放延迟时间固定为0.5ms
    • 放电过流检测延迟时间可选8ms、12ms、16ms、20ms、48ms、224ms
    • 充电过流检测延迟时间可选8.5ms、16.5ms、32.5ms
    • 短路检测延迟时间可选0.50ms、0.75ms
    • 充电器连接检测延迟时间可选1.0ms、8.0ms
  • 0V电池充电功能:可选“禁止”或“允许”
  • 低电流消耗:
    • 正常模式 典型值3.0μA,最大值4.5μA
    • 待机模式 最大值0.025μA(过放电锁存功能“启用”时) 最大值0.500μA(过放电锁存功能“禁用”时)
  • MOS-FET:源极到源极导通电阻 典型值65.0mΩ(VDD = 3.5V)
  • 绝对最大额定值:
    • VDD引脚 -0.3V至+12V
    • V-引脚 VDD - 24V至VDD + 0.3V
    • 漏源电压 最大值24V
    • 漏极电流 最大值1.2A
    • 总功耗 最大值0.4W
    • 存储温度 -40至+125°C
    • 工作温度 -40至+85°C
  • 封装类型:PLP - 4E 1.25 × 2.85 × 0.50max [mm]

应用领域

  • 计算机
  • 办公自动化设备
  • 通信设备
  • 仪器仪表设备
  • 机床
  • 工业机器人
  • 家用电器
  • 其他通用电子设备

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