商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 电池管理 | |
| 芯片类型 | - | |
| 工作电压 | 4.75V~5.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 电池类型 | - | |
| 电池节数 | 2 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
DS1610是一款低功耗CMOS电路，可解决将CMOS RAM转换为非易失性存储器的应用问题。此外，该器件能够对存储块进行无条件写保护，防止意外写操作破坏程序和特殊数据空间。VCCI输入引脚处的电源输入电压会持续监测是否超出容差范围。当检测到这种情况时，芯片使能和写使能输出都会被禁止，以保护存储的数据。当VCCI低于电池输入电压时，电池输入用于为VCCO供电。特殊电路采用低泄漏CMOS工艺，可在极低的电流消耗下实现精确的电压检测。通过将DS1610分区非易失性控制器芯片与CMOS存储器和电池相结合，可实现非易失性RAM操作。 当（DIS）禁用引脚接地时，DS1610分区非易失性控制器的功能与达拉斯半导体DS1210非易失性控制器类似。DS1610S的DIS引脚上有一个内部接地下拉电阻，使其能够用于DS1210S的应用中进行改造。当DIS引脚接地时，地址输入Aw - Az和写使能输入WEI将被忽略。此外，电源故障输出PFO和写使能输出WEO将处于三态。
商品特性
- 将CMOS RAM转换为非易失性存储器
- SOIC版本与达拉斯半导体DS1210非易失性控制器引脚兼容
- 当VCC超出容差范围时，对整个存储器进行无条件写保护
- 编程后，无论VCC状态如何，对选定的存储块进行写保护
- 发生电源故障时，自动切换到电池备份电源
- 支持多块电池
- 电池电流消耗小于100 nA
- 通过抑制第二个存储周期，在上电时测试电池
- 可选5%或10%的电源故障检测
- 16引脚DIP或16引脚SOIC表面贴装封装
- VCC开关在高达150 mA的电流下具有低正向压降
- 可选-40℃至+85℃的工业温度范围