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IRFR9220TRLPBF
1个P沟道 耐压:200V 电流:2.3A
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- 描述
- 第三代功率MOSFET技术是Vishay先进功率MOSFET晶体管产品线的关键。功率MOSFET的高效几何结构和独特工艺设计，实现了极低的导通电阻，同时具备高跨导和出色的器件耐用性。DPAK封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRFR9220TRLPBF
- 商品编号
- C428745
- 商品封装
- DPAK(TO-252)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.462克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@10V,2.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 340pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 110pF |
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