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IRF830SPBF

1个N沟道耐压:500V 电流:4.5A

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描述: 第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。D2PAK (TO-263)是一种表面贴装功率封装，能够容纳高达HEX-4的芯片尺寸。它在任何现有的表面贴装封装中提供了最高的功率能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D2PAK (TO-263)适用于大电流应用，并且在典型的表面贴装应用中可以耗散高达2.0W的功率。
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: IRF830SPBF
商品编号: C428751
商品封装: D2PAK
包装方式: 管装
商品毛重: 2.41克(g)

商品参数

商品概述

第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、耐用的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 D²PAK（TO - 263）是一种表面贴装功率封装，能够容纳高达HEX - 4尺寸的芯片。它在现有的任何表面贴装封装中提供了最高的功率能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D²PAK（TO - 263）适用于大电流应用，并且在典型的表面贴装应用中可耗散高达2.0 W的功率。

商品特性

表面贴装，可提供卷带包装
动态dV/dt额定值
重复雪崩额定值
快速开关
易于并联
驱动要求简单

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	500V
	连续漏极电流(Id)	4.5A
	导通电阻(RDS(on))	1.5Ω@10V,2.7A
	耗散功率(Pd)	74W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	2V
	栅极电荷量(Qg)	38nC@10V
	输入电容(Ciss)	610pF
	反向传输电容(Crss)	68pF@25V
	工作温度	-55℃~+150℃