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IRFP064PBF

1个N沟道耐压:60V 电流:70A

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描述: 第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。对于功率要求较高而无法使用TO - 220AB器件的商业和工业应用，首选TO - 247AC封装。TO - 247AC与早期的TO - 218封装类似，但性能更优，因为它有绝缘安装孔
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: IRFP064PBF
商品编号: C428756
商品封装: TO-247AC
包装方式: 管装
商品毛重: 6.132克(g)

商品参数

商品概述

第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、耐用器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。对于功率要求较高而无法使用TO - 220AB器件的商业 - 工业应用，首选TO - 247AC封装。TO - 247AC与早期的TO - 218封装类似，但更为优越，因为它有绝缘安装孔。它还能提供更大的引脚间爬电距离，以满足大多数安全规范的要求。

商品特性

动态dV/dt额定值
重复雪崩额定值
超低导通电阻
极低热阻
隔离式中央安装孔
175°C工作温度
快速开关
符合RoHS指令2002/95/EC

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	70A
	导通电阻(RDS(on))	9mΩ@10V,7.8A
	耗散功率(Pd)	300W
	阈值电压(Vgs(th))	4V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	190nC@10V
	输入电容(Ciss)	7.4nF@25V
	反向传输电容(Crss)	540pF
	工作温度	-55℃~+175℃@(Tj)
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	3.2nF