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HIP1012CB实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HIP1012CB

HIP1012CB

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
HIP1012CB
商品编号
C3662797
商品封装
SOIC-14​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录浪涌保护器
通道数2
工作电压10.5V~13.2V
属性参数值
安装方式-
工作温度0℃~+70℃

商品概述

HIP1012 是一款多功能双电源分配控制器,具备可编程限流调节和锁定关断时间功能。此外,HIP1012 可作为 +3.3V 和 5V 或 +5V 和 +12V 电源控制器运行,每种模式都有相应的欠压 (UV) 故障通知电平。 在初次上电时,HIP1012 可通过关断外部 N 沟道 MOSFET 开关将电源与负载隔离,或者直接将电源轨电压施加到负载,以实现真正的热插拔功能。无论哪种情况,HIP1012 都以软启动模式开启,保护电源轨免受突然的电流负载影响。如果任一 PWRON 引脚被拉低,HIP1012 将进入真正的热插拔模式。两个 PWRON 引脚都必须为高电平才能关断 HiP1012,从而通过外部 FET 将电源与负载隔离。 开启时,每个外部 N 沟道 MOSFET 的栅极电容由一个 10μA 的电流源充电。这些电容形成一个可编程的斜坡(软开启)。电荷泵为 12V 电源开关提供栅极驱动,将该栅极驱动至 17V。 负载电流流经两个外部电流检测电阻。当任一电阻两端的电压超过用户编程的过流 (OC) 电压阈值时,控制器进入电流调节状态。此时,超时电容 CTIM 开始由 10μA 电流源充电,控制器进入超时周期。超时周期的长度由从 Ctim 引脚(引脚 10)接地的单个外部电容设置,其特征是向相应的外部 N 沟道 MOSFET 提供较低的栅极驱动电压。一旦 CTM 充电至 2V,内部比较器触发,导致两个 N 沟道 MOSFET 锁定关断。

商品特性

  • 适用于 +5V 和 +12V 或 +5V 和 +3.3V 的热插拔双电源分配控制
  • 提供故障隔离
  • 可编程电流调节电平
  • 可编程超时时间
  • 电荷泵允许使用 N 沟道 MOSFET
  • 电源正常和过流锁定指示灯
  • 具备增强的过流灵敏度
  • 冗余电源开启控制
  • 可调开启斜坡
  • 开启期间提供保护
  • 两级电流限制检测可对不同故障条件做出快速响应
  • 对完全短路的响应时间小于 1μs
  • 对 200% 电流过冲的响应时间为 3μs

应用领域

  • 独立磁盘冗余阵列 (RAID) 系统
  • 电源分配控制
  • 热插拔组件

数据手册PDF

优惠活动

购买数量

(1个/袋,最小起订量 1 个)
起订量:1 个1个/袋

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