- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
LM119H/883
LM119H/883
- 描述
- LM119QML 高速双通道比较器
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- LM119H/883
- 商品编号
- C3658660
- 商品封装
- TO-100-10
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 比较器 | |
| 比较器数 | 双路 | |
| 输入失调电压(Vos) | 3.8mV | |
| 输入偏置电流(Ib) | 475nA | |
| 传播延迟(tpd) | 80ns | |
| 滞后电压(Vhys) | - | |
| 共模抑制比(CMRR) | - | |
| 输出类型 | 开路集电极 | |
| 输出模式 | CMOS；TTL | |
| 轨到轨 | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 静态电流(Iq) | 11.5mA | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| 最大电源宽度(Vdd-Vss) | - | |
| 单电源 | - | |
| 双电源(Vee ~ Vcc) | - | |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | - | |
| 输入失调电流(Ios) | 75nA | |
| 输入失调电流温漂(Ios TC) | - | |
| 响应时间(tr) | - | |
| 功能特性 | - |
商品特性
- 具备辐射保证——高剂量率100 krad(Si)——无低剂量率辐射效应（ELDRS）100 krad(Si)
- 两个独立比较器
- 采用单5V电源供电
- 在±15V时典型响应时间为80 ns
- 每侧最小扇出为2
- 全温度范围内最大输入电流为1 μA
- 输入和输出可与系统地隔离
- 高共模压摆率