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TDA21472AUMA1
Optimos功率级
- 描述
- 高频、薄型DC-DC转换器，适用于CPU、GPU和DDR内存阵列的电压调节器。TDA21472功率级包含一个低静态电流同步降压栅极驱动器IC，与肖特基二极管以及高端和低端MOSFET共同封装。当遵循布局指南时，该封装针对PCB布局、热传递、驱动器/MOSFET控制时序以及最小化开关节点振铃进行了优化。栅极驱动器和MOSFET的组合，能够在前沿CPU、GPU和DDR内存设计所需的较低输出电压下实现更高的效率。TDA21472内部带有温度补偿的MOSFET电流检测算法，与同类最佳的基于控制器的电感DCR检测方法相比，可实现卓越的电流检测精度。保护功能包括具有可编程阈值的逐周期过流保护、VCC/VDRV欠压锁定（UVLO）保护、相位故障检测、IC温度报告和热关断。TDA21472还具有自举电容自动补充功能，以防止过度放电。TDA21472具备深度睡眠节能模式，当多相系统进入PS3/PS4模式时，可大幅降低功耗。高达1.5 MHz的开关频率运行能够实现高性能瞬态响应，在保持行业领先效率的同时，允许减小输出电感和输出电容。TDA21472针对服务器应用中的CPU核心供电进行了优化。它能够满足服务器市场的严格要求，这也使其非常适合为GPU和DDR内存设计供电。TDA21472包含一个低静态电流、高效率和高速的MOSFET驱动器，该驱动器经过优化，可驱动一对与肖特基二极管共同封装的高端和低端N沟道MOSFET，频率高达1.5 MHz。使用传统电感DCR电流检测的DC-DC控制器通常精度会降低。负载电流高估会降低CPU性能，而负载电流低估则会因对电压调节器和CPU施加过大压力而影响系统级可靠性。TDA21472采用了一种新颖的基于MOSFET的电流检测技术，提高了精度，并消除了与电感DCR检测相关的复杂性。通过片上电流检测实现卓越的电流检测精度，以增强系统性能。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- TDA21472AUMA1
- 商品编号
- C3654949
- 商品封装
- IQFN-39
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.44克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边；高边 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 灌电流(IOL) | 80A | |
| 工作电压 | 4.25V~16V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特性 | 欠压保护(UVP)；过流保护(OCP)；过热保护(OPT) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 2.4V | |
| 输入低电平(VIL) | 800mV | |
| 静态电流(Iq) | 45uA |
商品概述
高频、薄型DC-DC转换器，适用于CPU、GPU和DDR内存阵列的电压调节器。 TDA21472功率级包含一个低静态电流同步降压栅极驱动器IC，与肖特基二极管以及高端和低端MOSFET共同封装。当遵循布局指南时，该封装针对PCB布局、热传递、驱动器/MOSFET控制时序以及最小化开关节点振铃进行了优化。栅极驱动器和MOSFET的组合，能够在前沿CPU、GPU和DDR内存设计所需的较低输出电压下实现更高的效率。 TDA21472内部带有温度补偿的MOSFET电流检测算法，与同类最佳的基于控制器的电感DCR检测方法相比，可实现卓越的电流检测精度。保护功能包括具有可编程阈值的逐周期过流保护、VCC/VDRV欠压锁定（UVLO）保护、相位故障检测、IC温度报告和热关断。TDA21472还具有自举电容自动补充功能，以防止过度放电。TDA21472具备深度睡眠节能模式，当多相系统进入PS3/PS4模式时，可大幅降低功耗。 高达1.5 MHz的开关频率运行能够实现高性能瞬态响应，在保持行业领先效率的同时，允许减小输出电感和输出电容。 TDA21472针对服务器应用中的CPU核心供电进行了优化。它能够满足服务器市场的严格要求，这也使其非常适合为GPU和DDR内存设计供电。 TDA21472包含一个低静态电流、高效率和高速的MOSFET驱动器，该驱动器经过优化，可驱动一对与肖特基二极管共同封装的高端和低端N沟道MOSFET，频率高达1.5 MHz。使用传统电感DCR电流检测的DC-DC控制器通常精度会降低。负载电流高估会降低CPU性能，而负载电流低估则会因对电压调节器和CPU施加过大压力而影响系统级可靠性。TDA21472采用了一种新颖的基于MOSFET的电流检测技术，提高了精度，并消除了与电感DCR检测相关的复杂性。通过片上电流检测实现卓越的电流检测精度，以增强系统性能。
商品特性
- 驱动器、肖特基二极管以及高端和低端MOSFET共同封装
- 具有温度补偿报告功能的5 mV/A片上MOSFET电流检测
- 输入电压（VIN）范围为4.25 V至16 V
- VCC和VDRV电源电压范围为4.25 V至5.5 V
- 输出电压范围从0.25 V至5.5 V
- 80 A输出过流保护（OCP）能力
- 最高1.5 MHz的工作频率
- VCC/VDRV欠压锁定（UVLO）
- 8 mV/℃温度模拟输出
- 热关断和故障标志
- 具有可编程阈值和故障标志的逐周期过流保护
- MOSFET相位故障检测和标志
- 自举电容自动补充
- 深度睡眠节能模式
- 与3.3 V三态PWM输入兼容
- 支持体制动负载瞬态
- 5 mm x 6 mm x 1 mm小型PQFN封装
- 无铅、符合RoHS标准的封装