IW662-02-SO8

iW662是一款用于高通快速充电3.0（QC3.0）的AC/DC次级侧组合控制器，它将USB接口、次级到初级通信和同步整流功能集成在单个IC中。 iW662位于AC/DC电源的次级侧，可使适配器根据移动设备（MD）请求的电压，以200mV的增量配置3.6V至12V的多级输出电压。它可用于Dialog的初级侧控制AC/DC系统，以实现快速电压转换、低空载功耗和快速动态负载响应。 iW662采用Dialog专有的XM-Comm次级到初级数字通信技术。当与Dialog的初级侧控制器iW1790配合使用时，系统中可完全省去光耦合器。iW662通过电源变压器传输快速充电所需的所有信息，包括输出电压请求、输出电流限制、输出电压下冲、输出过压以及故障和复位信号。 iW662也是一款先进的同步整流（SR）控制器，集成了MOSFET驱动器，可使不连续模式反激式转换器高效运行。该器件与外部功率MOSFET配合使用，取代反激式转换器次级侧的主整流二极管，通过降低次级侧传导损耗来提高效率。Dialog的数字自适应关断控制技术可将关断死区时间降至最低，无需在传统同步整流器中通常与同步MOSFET并联使用的额外肖特基二极管。 iW662和iW1790提供双层电缆保护。在次级侧，iW662采用Dialog专有的D+/D-过压保护功能，以解决VBUS D+/D-软短路问题。在初级侧，iW1790采用Dialog的SmartDefender+TM先进打嗝技术，在软短路时降低平均输出功率，且不会锁存。

• XM-Comm专有的次级到初级数字通信无需光耦合器即可传输快速充电的所有信息：输出电压请求、输出电流限制、输出电压下冲、过压保护以及其他故障和复位信号
• 用于SR时序控制的无损MOSFET VDS感应，具备数字自适应关断控制
• 优化的5V MOSFET栅极驱动器
• 高达100V的高压漏极感应，无需额外的外部钳位电路
• 支持高通快速充电3.0技术
• 高压专用充电端口（HVDCP），以200mV的增量提供3.6V至12V的VBUS
• 双层电缆保护：
  • 次级侧（iW662）：专有的D+/D-过压保护（OVP）可解决VBUS D+/D-软短路问题
  • 初级侧（iW1790）：SmartDefender+TM智能打嗝技术在故障条件下降低平均输出功率，且不会锁存
• 针对大多数VBUS电平的自适应OVP/UV检测
• 向后兼容QC2.0和USB电池充电规范修订版1.2（USB BC1.2）
• 3V至16V的宽工作电压范围
• 可通过内置开关或外部开关编程实现从高压到5V（移动设备拔下时）或从高电压电平到低电压电平（根据请求）的主动快速放电
• 智能低功耗模式可实现<20mW的空载功耗
• 通过片上温度感应电路和外部NTC实现双过温保护（仅10引脚MSOP封装）
• 10引脚MSOP和8引脚SOIC封装

• 适用于智能手机、平板电脑和其他便携式设备的18W/24W QC AC/DC适配器