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IXTH76N25T-VB
场效应管 （MOSFET)
描述
TO247；N—Channel沟道,250V；60A；RDS(ON)=40mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IXTH76N25T-VB商品编号
C39832092商品封装
TO-247AC包装方式
管装
商品毛重
6.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 300W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 95nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 5nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
梯度价格
梯度
售价
折合1管
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