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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CD74HC646M
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 缓冲器/驱动器/收发器 | |
| 输入类型 | 标准CMOS | |
| 输出类型 | 三态 | |
| 工作电压 | 2V~6V | |
| 元件数 | - | |
| 每个元件位数 | 8 | |
| 通道类型 | 双向 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 灌电流(IOL) | - | |
| 拉电流(IOH) | - | |
| 系列 | 74HC | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| 静态电流(Iq) | 160uA | |
| 传播延迟(tpd) | 56ns@6V,50pF | |
| 功能特性 | 输出使能 |
商品概述
Harris CD74HC646和CD74HC648是具有三态非反相输出的八进制总线收发器/寄存器。Harris CD74HC648是具有三态反相输出的八进制总线收发器/寄存器。这些器件是带有D型触发器的总线收发器，D型触发器用作内部存储寄存器。A总线或B总线上的数据可以在CAB或CBA时钟输入的低到高转换时被时钟输入到寄存器中。输出使能（OE）和方向（DIR）输入控制收发器功能。高阻抗输出处的数据可以存储在任一寄存器或两个寄存器中，但任何时候只能使能两个总线中的一个作为输出。选择控制（SAB和SBA）可以对存储数据和透明（实时）数据进行多路复用。当输出使能（OE）为低电平时，方向控制决定哪个数据总线将接收数据。在高阻抗模式（输出使能为高电平）下，A数据可以存储在一个寄存器中，B数据可以存储在另一个寄存器中。时钟与方向（DIR）和输出使能（OE）端子不进行门控；A或B端子上的数据可以随时被时钟输入到存储触发器中。
商品特性
- A和B总线独立寄存器
- CD74HC646为同相
- CD74HC648为反相
- 三态输出
- 驱动15个LSTTL负载
- 在VCC = 5V、CL = 15pF、TA = 25°C时，典型传播延迟 = 12ns（A到B、B到A）
- 扇出（全温度范围）：
- 标准输出：10个LSTTL负载
- 总线驱动器输出：15个LSTTL负载
- 宽工作温度范围：-55°C ~ 125°C
- 传播延迟和转换时间平衡
- 与LSTTL逻辑IC相比显著降低功耗
- HC类型：
- 2V ~ 6V工作电压
- 高抗噪性：在VCC = 5V时，NIL = 30%、NIH = 30% VCC
应用领域
无