SN74LVTH652DBRE4
SN74LVTH652DBRE4
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- SN74LVTH652DBRE4
- 商品编号
- C3587512
- 商品封装
- SSOP-24
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.327克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 缓冲器/驱动器/收发器 | |
| 输入类型 | TTL兼容CMOS | |
| 输出类型 | 三态 | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 元件数 | 1 | |
| 每个元件位数 | 8 | |
| 通道类型 | 双向 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 灌电流(IOL) | 64mA | |
| 拉电流(IOH) | 32mA | |
| 系列 | 74LVTH | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 静态电流(Iq) | 190uA | |
| 传播延迟(tpd) | 5.2ns@3.3V,50pF | |
| 功能特性 | 热插拔支持;掉电隔离;输出使能;总线保持 |
商品概述
这些总线收发器和寄存器专为低压(3.3-V)VCC工作而设计,同时具备向5-V系统环境提供TTL接口的能力。LVTH652器件由总线收发器电路、D型触发器和控制电路组成,用于从数据总线直接或从内部存储寄存器进行多路复用数据传输。输出使能(OEAB和OEBA)输入用于控制收发器功能,选择控制(SAB和SBA)输入用于选择传输实时数据还是存储数据。选择控制所用电路消除了多路复用器在实时数据和存储数据切换期间出现的典型解码毛刺。低电平输入选择实时数据,高电平输入选择存储数据。A总线或B总线上的数据,或两者的数据,都可以在对应时钟(CLKAB或CLKBA)输入的低到高跳变时存储到内部D型触发器中,不受选择或使能控制引脚的影响。当SAB和SBA处于实时传输模式时,可以通过同时使能OEAB和OEBA来在不使用内部D型触发器的情况下存储数据。在此配置中,每个输出会增强其输入;因此,当两条总线的所有其他数据源都处于高阻抗状态时,每组总线会保持其最后状态。提供有源总线保持电路,可将未使用或浮动的数据输入保持在有效逻辑电平。不建议在总线保持电路中使用上拉或下拉电阻。当VCC处于0 V 至 1.5 V之间时,器件在上电或掉电期间处于高阻抗状态。但是,为了确保1.5 V以上的高阻抗状态,反向OE应通过上拉电阻连接到VCC,OE应通过下拉电阻连接到GND;电阻的最小值由驱动器的灌电流/拉电流能力决定。本器件使用Ioff和上电三态功能,完全符合热插拔应用要求。Ioff电路会禁用输出,防止器件掉电时产生有害的反向电流。上电三态电路在上电和掉电期间将输出置于高阻抗状态,防止驱动器冲突。数据输出功能可以通过OEAB或OEBA的各种电平组合来使能或禁用。数据输入功能始终处于使能状态,即总线端子上的数据会在时钟输入的每个低到高跳变时存储。选择控制为低电平时,时钟可同时发生。选择控制为高电平时,时钟必须交错以加载两个寄存器。
商品特性
- 支持混合模式信号工作(在VCC为3.3 V时支持5 V输入输出电压)
- 支持低至2.7 V的非稳压电池工作
- Ioff和上电三态功能支持热插拔
- 数据输入端带有总线保持电路,消除了对外部上拉/下拉电阻的需求
- 闩锁性能超过JESD 17标准要求的500 mA
- ESD防护性能超过JESD 22标准
- 满足2000-V人体模型(A114-A)ESD防护要求
- 满足200-V机器模型(A115-A)ESD防护要求


