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LDTA143ZET1G

LDTA143ZET1G

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商品型号
LDTA143ZET1G
商品编号
C417315
商品封装
SC-89​
包装方式
编带
商品毛重
0.027克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录数字晶体管
数量1个PNP-预偏置
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
耗散功率(Pd)300mW
晶体管类型PNP
直流电流增益(hFE)140
射基极击穿电压(Vebo)-
最小输入电压(VI(on))-
属性参数值
最大输入电压(VI(off))-
输出电压(VO(on))-
输入电阻4.7kΩ
电阻比率0.1
工作温度-
集射极饱和电压(VCE(sat))250mV@10mA,5mA
特征频率(fT)-
集电极截止电流(Icbo)100nA

商品概述

这款新型数字晶体管系列旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT(偏置电阻晶体管)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管;一个串联基极电阻和一个基极 - 发射极电阻。BRT通过将这些分立元件集成到单个器件中,省去了这些元件。使用BRT可以降低系统成本并节省电路板空间。该器件采用SC - 89封装,专为低功率表面贴装应用而设计。

商品特性

  • 简化电路设计
  • 节省电路板空间
  • 减少元件数量
  • SC - 89封装可采用波峰焊或回流焊。改进的鸥翼形引脚在焊接过程中可吸收热应力,消除芯片受损的可能性。
  • 我们声明产品材料符合RoHS要求。

数据手册PDF