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L2SK3018WT1G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

L2SK3018WT1G

1个N沟道 耐压:30V 电流:100mA

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描述
N沟道 30V 100mA
商品型号
L2SK3018WT1G
商品编号
C417317
商品封装
SC-70​
包装方式
编带
商品毛重
0.029克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)100mA
导通电阻(RDS(on))13Ω@2.5V
耗散功率(Pd)200mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.5V@100uA
输入电容(Ciss)13pF
反向传输电容(Crss)4pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)9pF

商品特性

  • 我们声明,产品材料符合 RoHS 要求且无卤素。
  • S 前缀适用于汽车及其他需要特定产地和控制变更要求的应用;符合 AEC-Q101 标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力。
  • 导通电阻低。
  • 开关速度快。
  • 易于并联。
  • 静电放电(ESD)耐受电压>500V
  • 低电压驱动(2.5V)使该器件非常适合便携式设备。
  • 驱动电路易于设计。

数据手册PDF