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LDTC114YET1G

带单片偏置电阻网络的偏置电阻晶体管

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描述
这款全新系列的数字晶体管旨在替代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT(偏置电阻晶体管)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管,这两个电阻分别是基极串联电阻和基极 - 发射极电阻。BRT 通过将这些分立元件集成到单个器件中,从而省去了这些元件
商品型号
LDTC114YET1G
商品编号
C417316
商品封装
SC-89​
包装方式
编带
商品毛重
0.028克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录数字晶体管
数量1个NPN-预偏置
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
耗散功率(Pd)200mW
晶体管类型NPN
属性参数值
直流电流增益(hFE)80
输出电压(VO(on))200mV
输入电阻10kΩ
电阻比率0.21
工作温度-55℃~+150℃
集电极截止电流(Icbo)100nA

数据手册PDF