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TPHR8504PL1,LQ(M实物图
  • TPHR8504PL1,LQ(M商品缩略图

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TPHR8504PL1,LQ(M

N沟道MOSFET,适用于高效DC-DC转换器,具备高速开关特性

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品牌名称
TOSHIBA(东芝)
商品型号
TPHR8504PL1,LQ(M
商品编号
C39294875
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)150A
导通电阻(RDS(on))0.7mΩ@10V
耗散功率(Pd)170W
阈值电压(Vgs(th))1.4V
栅极电荷量(Qg)103nC
属性参数值
输入电容(Ciss)7.37nF
反向传输电容(Crss)58pF
工作温度-
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)1.93nF
栅极电压(Vgs)±20V

商品特性

  • 高速开关
  • 栅极电荷小:QSW = 23 nC(典型值)
  • 输出电荷小:Qoss = 85.4 nC(典型值)
  • 漏源导通电阻低:RDS(ON) = 0.7 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)
  • 漏电流低:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 40 V)
  • 增强型:Vth = 1.4 至 2.4 V(VDS = 10 V,ID = 1.0 mA)

应用领域

  • 高效 DC-DC 转换器
  • 开关稳压器
  • 电机驱动器

数据手册PDF