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VBA1405
1个N沟道 耐压:40V 电流:18A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于需要中等功率、中等电流的电子系统，如电源管理、LED驱动和汽车电子等领域的模块中。SOP8；N—Channel沟道,40V；18A；RDS(ON)=3.8mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBA1405
- 商品编号
- C416226
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.62克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 985pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 76pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 205pF |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21标准的无卤产品
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 笔记本电脑CPU核心-高端开关