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VBC6N2014
2个N沟道 耐压:20V 电流:7.6A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款共源极N+N沟道场效应管，采用Trench技术，适用于需要高性能功率放大和开关控制的电子设备，为各种电路模块提供稳定可靠的功率输出和控制功能。TSSOP8；2个N—Channel沟道,20V；7.6A；RDS(ON)=14mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.6~1.6V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBC6N2014
- 商品编号
- C416247
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.331克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 960mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
优惠活动
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