VB1330
1个N沟道 耐压:30V 电流:6.5A
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描述
台积电流片,长电科技封装;这是一款单通道N沟道场效应晶体管(单N),采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23;N—Channel沟道,30V;6.5A;RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=0.7~2V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
VB1330商品编号
C416208商品封装
SOT-23包装方式
编带
商品毛重
0.031克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 30mΩ@10V,6.5A | |
功率(Pd) | 1.1W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.1V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 4.5nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 335pF@15V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 17pF@15V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
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