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VB1330

环保标识
  • 1个N沟道 耐压:30V 电流:6.5A

  • SMT扩展库
  • 嘉立创SMT补贴
  • 描述

    台积电流片,长电科技封装;这是一款单通道N沟道场效应晶体管(单N),采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23;N—Channel沟道,30V;6.5A;RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=0.7~2V;

  • 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
  • 商品型号

    VB1330
  • 商品编号

    C416208
  • 商品封装

    SOT-23
  • 包装方式

    编带

  • 商品毛重

    0.031克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)6.5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)30mΩ@10V,6.5A
功率(Pd)1.1W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)4.5nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)335pF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)17pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

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