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VB1101M
1个N沟道 耐压:100V 电流:4.3A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；一款小型单N沟道MOSFET，适用于低功率电源和信号处理应用,包括电子产品驱动、便携式电子设备和消费类电子产品等，具有广泛的应用前景。封装紧凑，性能稳定，可满足小型设备和电路的功率控制需求。SOT23-3；N—Channel沟道,100V；4.3A；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.8V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VB1101M
- 商品编号
- C416205
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 141mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 190pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 22pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
- 100%进行非钳位感性负载开关（UIS）测试
- 材料分类
应用领域
- 直流-直流转换器-负载开关-液晶电视的LED背光源