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NTHL023N065M3S
碳化硅N沟道MOSFET
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTHL023N065M3S
- 商品编号
- C38268504
- 商品封装
- TO-247-3L
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 耗散功率(Pd) | 263W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 69nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.952nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 153pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ |
商品特性
- 典型 RDS(on) = 23 mΩ @ VGS = 18 V
- 超低栅极电荷 (QG(tot) = 69 nC)
- 低电容下的高速开关 (Coss = 153 pF)
- 100% 雪崩测试
- 本器件为无卤素产品，符合豁免 7a 的 RoHS 标准，第二级互连采用无铅 2LI 工艺
应用领域
- 开关电源
- 太阳能逆变器
- 不间断电源
- 储能系统
- 电动汽车充电基础设施