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W632GU6RB11I
2G位DDR3L SDRAM，支持高速传输，具备双数据速率架构、多模式操作和多种功能
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- 品牌名称
- Winbond(华邦)
- 商品型号
- W632GU6RB11I
- 商品编号
- C38266806
- 商品封装
- VFBGA-96(7.5x13)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 写入均衡功能；自动自刷新；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；动态片上端接；数据掩码功能 |
商品概述
该器件是一款16M×8 banks×16位的DDR3L SDRAM，采用1.35V（VDD）和1.35V/1.5V（VDDQ）电源电压，提供高速数据传输，工作时钟频率最高可达800MHz，数据速率为1600Mbps/pin。它采用78-ball FBGA封装，支持1.5V I/O（兼容DDR3）和1.35V I/O（DDR3L）。该器件设计用于需要高速、高带宽和低功耗的应用，提供可编程的读/写突发长度（BL8或BC4/OTF）和可编程的CAS延迟（5、6、7、8、9、10、11、12、13、14）。它包含可编程的驱动强度和片内终端电阻（ODT），支持动态ODT和写均衡功能，以优化信号完整性。该器件支持自动刷新和自刷新模式，以及ZQ校准命令以补偿工艺、电压和温度（PVT）变化。其工作温度范围为商业级（0℃ ~ 95℃）和工业级（-40℃ ~ 95℃）。
商品特性
- 高速数据传输：时钟频率最高800MHz，数据速率最高1600Mbps/pin
- 低功耗：1.35V VDD和1.35V/1.5V VDDQ电源电压
- 高密度：16M×8 banks×16位组织架构
- 可编程突发长度：支持BL8或BC4/OTF
- 可编程CAS延迟：支持CL = 5、6、7、8、9、10、11、12、13、14
- 可编程驱动强度和片内终端电阻（ODT）
- 支持动态ODT和写均衡功能
- 支持自动刷新和自刷新模式
- 支持ZQ校准以补偿PVT变化
- 工作温度范围：商业级0℃ ~ 95℃，工业级-40℃ ~ 95℃