- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
WM03P91A
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.39nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 163pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 190pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
WM03P91A采用先进的功率沟槽技术,该技术经过特别设计,可在最小化导通电阻的同时保持出色的开关性能。
商品特性
- VDS = -30 V,ID = -9.1 A
- 在VGS = -10 V时,RDS(on) < 17 mΩ
- 在VGS = -4.5 V时,RDS(on) < 25 mΩ
- 100%保证耐雪崩能力
- 提供绿色环保器件
- 符合RoHS标准且无卤素
应用领域
-电源管理开关-DC/DC转换器