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NDC7002N(UMW)
2个N沟道 耐压:50V 电流:510mA
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- 描述
- 这些双N沟道增强型功率场效应晶体管采用专有、高单元密度的DMOS技术生产。这种高密度工艺旨在最大限度地降低导通电阻，提供坚固可靠的性能和快速开关。
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- NDC7002N(UMW)
- 商品编号
- C404322
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 510mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 960mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 20pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 13pF |
商品概述
这些双N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺旨在最小化导通电阻，提供坚固可靠的性能和快速开关特性。
商品特性
- VDS（V） = 50 V
- ID = 0.51 A（VGS = -10 V）
- RDS（ON） = 2 Ω（VGS = 10 V）
- 采用高密度单元设计，实现低RDS（ON）
- 高饱和电流
- 专有SOT23 - 6封装设计，采用铜引脚框架，具备卓越的热性能和电气性能。