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1N65G
1个N沟道 耐压:650V 电流:1A
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- 描述
- 特性：VDS(V) = 650 V。 ID = 1 A。 RDS(ON) = 8.5 Ω
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- 1N65G
- 商品编号
- C404319
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 150pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
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