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SS6951A-ET-TP
4A 内置MOS全桥电机驱动芯片 50V
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- 描述
- 双通道 H 桥电流控制电机驱动器：单个或两个有刷直流电机、一个步进电机。固定频率下电流控制可选择：2 bits 电流控制，提供 4 个电流台阶。低导通阻抗的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)：24V，Ta = 25°C 时可实现 4.0A 最大驱动电流；24V，Ta= 25°C 时 RDS(on)为 300mΩ（典型值 HS + LS）。最大工作耐压 50V。睡眠模式低电流。内置 3.3V 基准电压。带散热片的表面贴装封装。保护特性：过流保护 (OCP)；热关断 (TSD)；欠压闭锁(UVLO)；故障显示 Pin（nFAULT）。
- 品牌名称
- LEADPOWER(率能)
- 商品型号
- SS6951A-ET-TP
- 商品编号
- C3345073
- 商品封装
- ETSSOP-28
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 步进电机驱动芯片 | |
| 控制电压 | - | |
| 电机驱动电压(Vm) | 8.2V~45V | |
| 输出电流 | 4A | |
| H桥数量 | 2 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 驱动类型 | 双极驱动 | |
| 步长细分 | 2；1；4 | |
| 集成开关 | 是 | |
| 导通电阻 | 300mΩ | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
SS6951A 为电机一体化应用提供一种双通道集成电机驱动方案。有两路H 桥驱动，每个H 桥可提供最大峰值电流4.0A，可驱动两个刷式直流电机，或者一个双极步进电机，或者螺线管或者其它感性负载。双极步进电机可以以整步、2 细分、4 细分运行，或者用软件实现高细分。 每一个H 桥的功率输出模块由N型功率MOSFET 组成，每个H 桥包含整流电路和限流电路。简单的并行数字控制接口，衰减模式可选择为快衰减，慢衰减和混合衰减。 提供了一种低功耗睡眠模式来关断内部电路，以达到非常低的静态电流，这种睡眠模式通过设置nSLEEP 引脚来实现。内部关断功能包含过流保护，短路保护，欠压锁定保护和过温保护，并提供一个故障输出管脚nFAULT 引脚。 提供一种带有裸露焊盘的ETSSOP28 封装，能有效改善散热性能，且是无铅产品，引脚框架采用100%无锡电镀。
SS6951A 是一个用于双极步进电机或有刷直流电机的集成电机驱动方案。内部集成了两个NMOS H 桥、电流检测、调节电路，和详细的故障检测。 一个简单的PWM 接口可以方便地连接到外部数字控制器，并且使用最少接口资源。故障指示引脚（nFAULT）当设备进入故障状态时提供标志位。 绕组电流控制允许外部控制器调整提供给电机的可调电流。电流调整是高度可配置的，以及根据应用程序的要求选择三种衰变模式：快、慢和混合衰减。两位电流电平控制允许在四种不同电流电平之间切换。当电机不工作时，采用低功耗的睡眠模式允许系统节省功耗。
商品特性
- 双通道H 桥电流控制电机驱动器–单个或两个有刷直流电机–一个步进电机
- PWM 控制接口
- 固定频率下电流控制可选择– 2 bits 电流控制，提供4 个电流台阶
- 低导通阻抗的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)– 24V，Ta = 25°C 时可实现4.0A 最大驱动电流– 24V，Ta = 25°C 时RDS(on)为300mΩ（典型值HS + LS）
- 最大工作耐压50V
- 睡眠模式低电流
- 内置3.3V 基准电压
- 带散热片的表面贴装封装
- 保护特性– 过流保护 (OCP)– 热关断 (TSD)– 欠压闭锁 (UVLO)– 故障显示Pin（nFAULT）
应用领域
- 打印机
- 办公自动化设备
- 机器人
- 工业缝纫机