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STGP7NC60HD
N沟道，14 A、600 V，带超快二极管的超快速IGBT
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- 描述
- 这些器件是采用先进的PowerMESH™技术开发的高速IGBT。该工艺确保了开关性能和低导通状态特性之间的出色平衡
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGP7NC60HD
- 商品编号
- C38025
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.74克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 80W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 25A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 50A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.5V@7A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.75V@0.25mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 720pF | |
| 输出电容(Coes) | 81pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 17pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 18.5ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 72ns | |
| 导通损耗(Eon) | 95uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 115uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 37ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这些器件是采用先进PowerMESH™技术开发的超快IGBT。该工艺确保了开关性能与低导通状态特性之间的良好平衡。这些器件非常适合谐振或软开关应用。封装类型包括I²PAK（TO-262）、TO-220、D²PAK（TO-263）、TO-220FP。
商品特性
- 低导通压降（V_CE(sat)）
- 关断损耗包含尾电流
- 损耗包含二极管恢复能量
- 高频工作可达70kHz
- 极软超快恢复反并联二极管
应用领域
- 高频逆变器
- 硬开关和谐振拓扑中的开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）
- 电机驱动器