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PMEN2P7002S
1个P沟道 耐压:60V 电流:300mA
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- 品牌名称
- Potens(博盛半导体)
- 商品型号
- PMEN2P7002S
- 商品编号
- C403712
- 商品封装
- SOT-23-3S
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 41pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 13pF |
商品概述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用了沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 60V、-0.3A，在VGS = -10V时，RDS(ON) = 4Ω
- 改善了dv/dt能力
- 快速开关
- 有环保型器件可供选择
- 内置G-S ESD保护二极管
应用领域
- 笔记本电脑的电源管理
- 便携式设备和电池供电系统