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ADRF5019BCPZN实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ADRF5019BCPZN

硅SPDT开关,非反射型,100 MHz至13 GHz

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描述
100MHz至13GHz硅SPDT非反射式开关
品牌名称
ADI(亚德诺)
商品型号
ADRF5019BCPZN
商品编号
C3312866
商品封装
LFCSP-16(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.4克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录射频开关
电路结构单刀双掷
频率100MHz~13GHz
隔离度45dB
属性参数值
插入损耗1.5dB
P1dB39dBm
工作电压3V~3.6V
工作温度-40℃~+105℃

商品概述

ADRF5019是一款采用硅工艺制造的非反射式单刀双掷(SPDT)射频开关。 ADRF5019的工作频率范围为100 MHz至13 GHz,在8 GHz时插入损耗优于0.8 dB,隔离度为45 dB。ADRF5019采用非反射式设计,射频端口内部端接至50 Ω。 ADRF5019开关需要+3.3 V和 -2.5 V的双电源电压以及正控制电压输入。该开关采用互补金属氧化物半导体(CMOS)兼容和低压晶体管 - 晶体管逻辑(LVTTL)兼容控制。 ADRF5019也可以在施加单正电源电压(VDD)的情况下工作。负电源电压(VSS)接地。即使在单电源工作模式下,ADRF5019也能覆盖100 MHz至13 GHz的工作频率,并保持良好的功率处理性能。 ADRF5019与低频截止版本的HMC1118引脚兼容,后者的工作频率范围为9 kHz至13.0 GHz。 ADRF5019采用16引脚引线框架芯片级封装(LFCSP),工作温度范围为 -40℃至 +105℃。

商品特性

  • 非反射式50 Ω设计
  • 低插入损耗:8 GHz时为0.8 dB
  • 高隔离度:8 GHz时为45 dB
  • 高输入线性度 P1dB:39 dBm IP3:典型值60 dBm
  • 高功率处理能力 插入损耗路径35 dBm 热切换27 dBm
  • ESD等级:2 kV(2类)HBM
  • 无低频杂散
  • 0.05 dB射频建立时间:375 ns
  • 0.1 dB射频建立时间:300 ns
  • 16引脚,3 mm×3 mm LFCSP
  • 与低频截止版本的HMC1118引脚兼容

应用领域

  • 测试仪器
  • 微波无线电和甚小口径终端(VSAT)
  • 光纤和宽带通信

数据手册PDF

优惠活动

  • 9

    购买数量

    (1000个/圆盘,最小起订量 1 个)
    起订量:1 个1000个/圆盘

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