GS-065-011-6-L-TR

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: GS-065-011-6-L-TR
商品编号: C36894121
商品封装: PDFN-8(8x8)
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

GS-065-011-6-L是一款增强型氮化镓硅基功率晶体管。氮化镓的特性使其能够实现高电流、高电压击穿和高开关频率。氮化镓系统公司通过行业领先的创新技术，如获得专利的岛式技术单元布局，实现了大电流芯片和高良率。GS-065-011-6-L是一款底部散热的晶体管，为高功率应用提供极低的结到壳热阻。这些特性相结合，实现了高效的功率开关。

商品特性

700V增强型功率晶体管
850V瞬态漏源电压
底部散热，5×6mm小型PDFN封装
RDS(on) = 125mΩ
IDSmax,DC = 12.2A / IDSmax,Pulse = 20A
超低品质因数
简单的栅极驱动要求（0V至6V）
瞬态耐受栅极驱动（-20V / +10V）
高开关频率（> 1MHz）
快速且可控的上升和下降时间
反向导通能力
零反向恢复损耗
用于优化栅极驱动的源极感应（SS）引脚
符合RoHS 3（6+4）标准

应用领域

电源适配器
LED照明驱动器
快速电池充电
功率因数校正
家电电机驱动
无线电力传输
工业电源

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	氮化镓晶体管(GaN HEMT)
	类型	N沟道
	技术路线	E-mode
	漏源电压(Vdss)	700V
	连续漏极电流(Id)	12.2A
	耗散功率(Pd)	-
	阈值电压(Vgs(th))	1.7V

	属性	参数值
	数量	1个N沟道
	栅极电荷量(Qg)	2.2nC
	输入电容(Ciss)	70pF
	反向传输电容(Crss)	0.4pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	输出电容(Coss)	20pF
	导通电阻(RDS(on))	125mΩ