APT8M100B
1个N沟道 耐压:1kV 电流:8A
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT8M100B
- 商品编号
- C3293074
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 280W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 225nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.66nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 390pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关式DC/DC转换器、开关电源和电机控制。
商品特性
- 10A、200V，VGS = 10V时，RDS(on) = 0.36 Ω
- 低栅极电荷（典型值13 nC）
- 低Crss（典型值14 pF）
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 低电平栅极驱动要求，允许直接由逻辑驱动器操作