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APT7M120B
1个N沟道 耐压:1200V 电流:22A
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- 描述
- Power MOS 7是新一代低损耗、高压、N沟道增强型功率MOSFET。通过显著降低RDS(ON)和Qg，Power MOS 7同时解决了导通损耗和开关损耗问题。Power MOS 7结合了更低的导通损耗和开关损耗，以及APT专利金属栅极结构固有的极快开关速度
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT7M120B
- 商品编号
- C3293089
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 9.88克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 570mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 690W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@2.5mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 290nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.08nF |
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