APT6025BLLG
1个N沟道 耐压:600V 电流:24A
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT6025BLLG
- 商品编号
- C3293083
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 31A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 355W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 215nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.89nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 800pF |
商品概述
AP2N030E系列采用创新设计和硅工艺技术，以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种极其高效的器件，可用于广泛的电源应用。 SOT - 23S封装在商业 - 工业表面贴装应用中广受欢迎，适用于如DC/DC转换器等低压应用。
商品特性
- 支持2.5V栅极驱动
- 更低的栅极电荷
- 快速开关性能
- 符合RoHS标准且无卤