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DMN2450UFB4-7R
1个N沟道 耐压:20V 电流:1A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2450UFB4-7R
- 商品编号
- C3291462
- 商品封装
- X2-DFN1006-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.013333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 56pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
4410将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 占位面积仅0.6mm2,比SOT23小十三倍
- 厚度0.4mm,适用于薄型应用
- 低栅极阈值电压
- 快速开关速度
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅,完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
-负载开关
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