RM4503S8
N/P通道,电流:10A,耐压:30V
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- 品牌名称
- RECTRON(丽正)
- 商品型号
- RM4503S8
- 商品编号
- C3289868
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 300pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 350pF |
商品概述
适用于基站应用的600 W LDMOS封装非对称多尔蒂功率晶体管，工作频率范围为1930 MHz至1995 MHz。
商品特性
~~- 出色的耐用性-高效率-低热阻,提供出色的热稳定性-较低的输出电容,可提升多尔蒂应用的性能-专为低记忆效应和最小IDq漂移而设计,具备出色的数字预失真能力-内部匹配,使用方便-集成ESD保护
应用领域
- 适用于1930 MHz至1995 MHz频率范围的基站和多载波应用的射频功率放大器