RM4503S8
N/P通道,电流:10A,耐压:30V
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- 品牌名称
- RECTRON(丽正)
- 商品型号
- RM4503S8
- 商品编号
- C3289868
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 300pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 350pF |
商品概述
适用于基站应用的600 W LDMOS封装非对称多尔蒂功率晶体管，工作频率范围为1930 MHz至1995 MHz。
商品特性
- N沟道
- VDS = 30V,ID = 10A
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 18mΩ
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 10mΩ
- P沟道
- VDS = -30V,ID = -9.1A
- 在VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 30mΩ
- 在VGS = -10V时,RDS(ON) < 20mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 电源管理