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EPC2034C
增强型功率晶体管
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- 描述
- 氮化镓极高的电子迁移率和低温系数允许非常低的导通电阻，而其横向器件结构和多数载流子二极管提供极低的栅极电荷和零反向恢复电荷。最终结果是，该器件能够处理非常高开关频率和低导通时间有益的任务，以及导通状态损耗占主导的任务。
- 品牌名称
- EPC
- 商品型号
- EPC2034C
- 商品编号
- C3288334
- 商品封装
- SMD-24P,4.6x2.6mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 48A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.1nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1155pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.1pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 641pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ |