RM45P20D3
P沟道,电流:-45A,耐压:-19V
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- 品牌名称
- RECTRON(丽正)
- 商品型号
- RM45P20D3
- 商品编号
- C3288321
- 商品封装
- DFN-8-EP(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 19V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 80W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 445pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
该器件在双DFN3X3（3 mm X 3 mm MLP）封装中集成了两个40V N沟道MOSFET。该封装经过优化，具备出色的热性能。
商品特性
- VDS = -19V,ID = -45A
- 在 VGS=-4.5 V 时,RDS(ON)< 7 m Ω
- 在 VGS=-2.5 V 时,RDS(ON)< 9 m Ω
- 在 VGS = -1.8 V 时,RDS(ON) < 12 m Ω
- 高密度单元设计,实现超低 RDS(ON)
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高 EAS 下具有良好的稳定性和一致性
- 出色的封装,散热性能良好
应用领域
- 负载开关
- 电池保护