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FDP2572
1个N沟道 耐压:150V 电流:29A 电流:4A
- 描述
- N 沟道，PowerTrench MOSFET，150 V，29A, 54mΩ
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDP2572
- 商品编号
- C400791
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 29A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 54mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 135W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.77nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 183pF |
商品特性
- RDS(on) = 45 m Ω(典型值),条件为VGS = 10 V,ID = 9 A
- QG(\text tot) = 26 nC(典型值),条件为VGS = 10 V
- 低米勒电荷
- 低Qrr体二极管
- 具有单脉冲和重复脉冲的UIS能力
应用领域
- 消费电器
- 同步整流
- 电池保护电路
- 电机驱动和不间断电源
- 微型太阳能逆变器
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