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FDN5618P
1个P沟道 耐压:60V 电流:1.25A
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- 描述
- 此 60V P 沟道 MOSFET 使用高压 PowerTrench 工艺。此产品非常适用于电源管理应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDN5618P
- 商品编号
- C400792
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 230mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 430pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 52pF |
商品概述
这款60V P沟道MOSFET采用高压PowerTrench工艺，针对电源管理应用进行了优化。
商品特性
- 1.25 A,-60 V。VGS = -10 V时,RDS(ON) = 0.170 Ω
- VGS = -4.5 V时,RDS(ON) = 0.230 Ω
- 开关速度快
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
应用领域
- DC-DC转换器
- 负载开关
- 电源管理