商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款功率MOSFET旨在承受雪崩和换向模式下的高能量。专为电源、转换器和动力电机控制中的低电压、高速开关应用而设计，这些器件特别适用于对二极管速度和换向安全工作区要求严苛的桥式电路，并能针对意外电压瞬变提供额外的安全裕量。
商品特性
- 更高的电流额定值
- 更低的 RDS(on)
- 更低的电容
- 更低的总栅极电荷
- 更严格的 VSD 规格
- 规定了雪崩能量
- 行业标准 DPAK 表面贴装封装
应用领域
-开关模式电源-PWM 电机控制-转换器-桥接电路
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