商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
专为电源、转换器、功率电机控制和桥接电路中的高压、高速开关应用而设计。
商品特性
- 更高的电流额定值
- 更低的 RDS(on)
- 更低的电容
- 更低的总栅极电荷
- 更严格的 VSD 规格
- 规定了雪崩能量
- 行业标准 DPAK 表面贴装封装
应用领域
-开关模式电源-PWM 电机控制-转换器-桥接电路
相似推荐
其他推荐