RM35P100T2
P沟道增强型功率MOSFET,电流:-35A,耐压:-100V
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- 品牌名称
- RECTRON(丽正)
- 商品型号
- RM35P100T2
- 商品编号
- C3280546
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 92nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.516nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 125pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
RM50N60T2采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（R_DS(ON)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = -100V,ID = -35A
- RDS(ON)< 50 m Ω(@ VGS=-10 V)
- RDS(ON) < 55 m Ω(@ VGS = -4.5 V)
- 超高密度单元设计
- 先进的沟槽工艺技术
- 可靠耐用
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻
应用领域
-电源开关-DC/DC 转换器-无卤