FCP25N60N
1个N沟道 耐压:600V 电流:25A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCP25N60N
- 商品编号
- C3280539
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 216W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 74nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.352nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 137pF |
商品概述
SupreMOS® MOSFET采用深槽填充工艺,是下一代高压超结(SJ)技术,这使其有别于传统的超结MOSFET。这种先进技术和精确的工艺控制可实现极低的比导通电阻Rsp、卓越的开关性能和耐用性。SupreMOS MOSFET适用于高频开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源和工业电源应用等。
商品特性
- 当VGS = 10 V、ID = 12.5 A时,RDS(on) = 107 mΩ(典型值)
- 超低栅极电荷(典型值Qg = 57 nC)
- 低有效输出电容(典型值Coss(eff.) = 262 pF)
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-太阳能逆变器-交流-直流电源